Описание
Характеристики
Отзывы
Технические параметры
МДД160-12 Модуль диодный силовой полупроводниковый
Тип : | модуль силовой полупроводниковый диодный серии МДД |
---|---|
Конфигурация : | сборка диод - диод, тип корпуса С-13 |
Максимально Допустимый Средний Прямой Ток : | IT(AV) - 160 А |
Повторяющееся Импульсное Обратное Напряжение : | (VRRM) - 1200 (класс по напряжению - 12) В |
Максимальное Напряжение : | импульсное прямое (VFM) - 1,56 В |
Максимальный Прямой Ток : | допустимый импульсный (IFM) - 480 А |
Максимальный Ток : | повторяющийся импульсный обратный (IRRM) - 12 мА |
Температура : | перехода максимально допустимая (Tjm) - 150 °С |
Высота : | 29 (корпус) мм |
Ширина : | 34 |
Глубина : | 94 мм |
Характеристики
Тип диода
Модуль
GTIN2
35905megaom
Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
Все отзывы 0
МДД160-12 Модуль диодный силовой полупроводниковый
Тип : | модуль силовой полупроводниковый диодный серии МДД |
---|---|
Конфигурация : | сборка диод - диод, тип корпуса С-13 |
Максимально Допустимый Средний Прямой Ток : | IT(AV) - 160 А |
Повторяющееся Импульсное Обратное Напряжение : | (VRRM) - 1200 (класс по напряжению - 12) В |
Максимальное Напряжение : | импульсное прямое (VFM) - 1,56 В |
Максимальный Прямой Ток : | допустимый импульсный (IFM) - 480 А |
Максимальный Ток : | повторяющийся импульсный обратный (IRRM) - 12 мА |
Температура : | перехода максимально допустимая (Tjm) - 150 °С |
Высота : | 29 (корпус) мм |
Ширина : | 34 |
Глубина : | 94 мм |