Описание
Характеристики
Отзывы
Технические параметры
МДД100-12 Модуль диодный силовой полупроводниковый
Тип : | модуль силовой полупроводниковый диодный серии МДД |
---|---|
Конфигурация : | сборка диод - диод, тип корпуса С-12 |
Максимально Допустимый Средний Прямой Ток : | IT(AV) - 100 А |
Повторяющееся Импульсное Обратное Напряжение : | (VRRM) - 1200 (класс по напряжению - 12) В |
Максимальный Прямой Ток : | допустимый импульсный (IFM) - 330 А |
Максимальное Напряжение : | импульсное прямое (VFM) - 1,45 В |
Максимальный Ток : | повторяющийся импульсный обратный (IRRM) - 8 мА |
Максимальный Прямой Ток : | допустимый импульсный (IFM) - 330 А |
Высота : | 30 (корпус) мм |
Ширина : | 20 мм |
Глубина : | 92 мм |
Характеристики
Тип диода
Модуль
GTIN2
35904megaom
Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
Все отзывы 0
МДД100-12 Модуль диодный силовой полупроводниковый
Тип : | модуль силовой полупроводниковый диодный серии МДД |
---|---|
Конфигурация : | сборка диод - диод, тип корпуса С-12 |
Максимально Допустимый Средний Прямой Ток : | IT(AV) - 100 А |
Повторяющееся Импульсное Обратное Напряжение : | (VRRM) - 1200 (класс по напряжению - 12) В |
Максимальный Прямой Ток : | допустимый импульсный (IFM) - 330 А |
Максимальное Напряжение : | импульсное прямое (VFM) - 1,45 В |
Максимальный Ток : | повторяющийся импульсный обратный (IRRM) - 8 мА |
Максимальный Прямой Ток : | допустимый импульсный (IFM) - 330 А |
Высота : | 30 (корпус) мм |
Ширина : | 20 мм |
Глубина : | 92 мм |